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[科技] 这是?加速器+光刻机=?

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发表于 2023-9-12 23:21 来自手机 | 显示全部楼层 |阅读模式
过于离谱但是细想感觉蛮有可行性的感觉


对我国的EUV光刻机要有信心,那些说十几二十年才能做出EUV光刻机的人不是蠢就是坏

EUV光刻机就是个很纯粹的工程问题。
其理论不存在问题,工程上已有公司可以实现,国内需求也足够大,也有一定的基础。人才有,需求有,可行性没问题,有行业基础,剩下的就是时间和投入。这恰恰是中国的强项 [鼓掌]

目前国内有三条EUV光刻机研发路线,突出一个我全都要,饱和式研发,不计成本 [酷]

1.正统路线,也就是ASML的EUV光刻机路线。HW+上海光机所+宇量昇,国家队,走500W LPP光源+复杂镜头组的技术路线。现在进度最快,技术复杂度相对最高,特别是超高功率、超高重复频率二氧化碳激光器技术难度非常高。进度保密 [阴险]

2.改进型路线。广东智能机器研究院(广智院)+华中科技大,他们在尝试一种采用分时高功率光纤激光器射击液态锡靶的方式绕开超高功率、超高重复频率二氧化碳激光器的技术路线。如果他们那个400路光纤激光器能够成功,将是使用二氧化碳激光器的LPP光源功率的数倍。何时成功还是未知 [二哈]

3.颠覆式路线。清华大学主导的1千瓦级SSMB-EUV光源,直接把光刻机光源变成基础设施--同步辐射光源。直接把光源变成类似工业园中的电力、蒸汽、纯水等可购买原料。比如:深圳产业光源系统规划了EUV光刻线站和EUV检测线站等合计四条光束线,六个实验站。

这条技术路线如果成功,可以秒杀上面两条路线。光源外置、极大简化的光路直接把EUV光刻机变成体积大,但是成本相对较低的批量产品。且更匹配中国极高的基础设施建设能力 [笑cry]

个人观点:从2020年10月国内启动举国体制加速研发后,光刻机研发进度极快。第一条技术路线的EUV光刻机将在2~3年内量产。第三条的技术路线是未来第2代、第3代EUV光刻机的优势路线,也是中国光刻机技术赶超ASML的关键

原地址:https://m.weibo.cn/2672926347/4943766136554629

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发表于 2023-9-12 23:23 来自手机 | 显示全部楼层
穷则集中力量办大事
富则我全都要

—— 来自 HUAWEI ELS-AN00, Android 12上的 S1Next-鹅版 v2.2.2.1
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发表于 2023-9-12 23:24 | 显示全部楼层
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发表于 2023-9-12 23:25 来自手机 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2023-9-12 23:26 来自手机 | 显示全部楼层
ZetaGo 发表于 2023-9-12 23:25
微博消息真不灵通啊,泥潭嫖娼区和尼姑庵都讨论完了

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发表于 2023-9-12 23:32 来自手机 | 显示全部楼层
原来你们喜欢这种消息

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发表于 2023-9-12 23:37 来自手机 | 显示全部楼层
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发表于 2023-9-12 23:38 | 显示全部楼层
大雄的消息真不灵通啊,pc区已经沸腾过一遍了
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发表于 2023-9-12 23:39 来自手机 | 显示全部楼层
这个加速器方案真是非常有意思,而且是一个很好的解决问题的思路
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发表于 2023-9-12 23:44 | 显示全部楼层
思路非常有趣,但是落实没那么容易
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发表于 2023-9-12 23:46 来自手机 | 显示全部楼层
希望你们能真金白银支持一下国产芯片,别在这干沸腾,烧水也是要添煤的
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发表于 2023-9-12 23:46 | 显示全部楼层
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发表于 2023-9-12 23:50 来自手机 | 显示全部楼层
猫不萌 发表于 2023-9-12 23:46
希望你们能真金白银支持一下国产芯片,别在这干沸腾,烧水也是要添煤的 ...

不是大公司采购怎么支持的了啊…

—— 来自 HONOR LGE-AN10, Android 13上的 S1Next-鹅版 v2.5.2
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发表于 2023-9-12 23:50 | 显示全部楼层
拭目以待了
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发表于 2023-9-12 23:51 来自手机 | 显示全部楼层
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发表于 2023-9-12 23:51 | 显示全部楼层
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发表于 2023-9-12 23:56 | 显示全部楼层
明显工程实现难题很多
不过外行也说不了啥,谁最后拿出东西谁牛逼咯反正现在也没前几个月那么急了
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发表于 2023-9-12 23:58 来自手机 | 显示全部楼层
SSMB-EUV最炸裂的甚至不是功率,而是波长,锡激发只能产生13.5nm的极紫外光,锂激发可以到8.6nm,再下就没辙了,然而SSMB-EUV在ppt上就已经到了5nm,同步辐射在理论上可以再向下3个数量级直到pm(皮米)波长的伽马光。当然这时候反射镜也没用了
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发表于 2023-9-12 23:58 来自手机 | 显示全部楼层
如果真行又是一次弯道超车了
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发表于 2023-9-13 00:00 | 显示全部楼层
能超车要超,不过如果是技术难题而非专利难关,希望以后也能突破
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发表于 2023-9-13 00:06 | 显示全部楼层
连光刻机都变圆珠笔尖了吗
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发表于 2023-9-13 00:09 | 显示全部楼层
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发表于 2023-9-13 00:12 来自手机 | 显示全部楼层
真好啊,希望是真的,虽然看的还是有点迷糊

意思是这玩意虽然效率低,价格高,不能移动,但好歹是弄出来了,对不对

—— 来自 HUAWEI LYA-AL10, Android 10上的 S1Next-鹅版 v2.1.2
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发表于 2023-9-13 00:12 | 显示全部楼层
弯道超车 ✘
你爱玩九连弯你自己玩,老子直接开条新高速 ✔
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发表于 2023-9-13 00:13 来自手机 | 显示全部楼层
光刻机变光刻站吗?
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发表于 2023-9-13 00:15 | 显示全部楼层
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发表于 2023-9-13 00:15 | 显示全部楼层
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发表于 2023-9-13 00:17 来自手机 | 显示全部楼层
orgexx 发表于 2023-9-13 00:12
真好啊,希望是真的,虽然看的还是有点迷糊

意思是这玩意虽然效率低,价格高,不能移动,但好歹是弄出来了 ...

这玩意可能是最优路线。相当于一台喂饱几个厂,别的地方建了这玩意也没办法发挥全部效率,性价比就低了。我们建了需求量够大,就完全可以撑起来。
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发表于 2023-9-13 00:22 | 显示全部楼层
不知道真假和实用程度
但是希望能干死三星 夺了台积电
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发表于 2023-9-13 00:44 | 显示全部楼层
orgexx 发表于 2023-9-13 00:12
真好啊,希望是真的,虽然看的还是有点迷糊

意思是这玩意虽然效率低,价格高,不能移动,但好歹是弄出来了 ...

应该是效率高、价格对比也不算高,但是要建设能力。
缺点是没法移动,产业公司选地也绑定死。

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发表于 2023-9-13 00:52 | 显示全部楼层
咋还讨论可行性呢,这东西上半年不就在雄安开建了吗?泥潭都有帖子讨论过
https://www.saraba1st.com/2b/thread-2125419-1-1.html
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发表于 2023-9-13 00:53 | 显示全部楼层
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发表于 2023-9-13 00:54 来自手机 | 显示全部楼层
猫不萌 发表于 2023-9-12 23:46
希望你们能真金白银支持一下国产芯片,别在这干沸腾,烧水也是要添煤的 ...

港真现在除非有认证需求ST的都换GD了,HMI上都是瑞芯微全志啥的,国外的真的很少了
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发表于 2023-9-13 00:58 | 显示全部楼层
半导体标准也在建立了,要弄半导体护城河了.
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发表于 2023-9-13 01:08 | 显示全部楼层
宏. 发表于 2023-9-12 23:58
SSMB-EUV最炸裂的甚至不是功率,而是波长,锡激发只能产生13.5nm的极紫外光,锂激发可以到8.6nm,再下就没 ...

13.5nm的问题不是光源,而是反射镜的问题
踅摸了好些年才找到这个 多层钼/硅镀膜,13.5nm 左右反射率做到70%(理论上限似乎是73%)

要用频率更高的光,就得搞新反射镜材料

其实你要搜论文,就会发现其实长光所 1993年就在 BEPC(北京正负电子对撞机)上搞过euv(当时叫软x射线)光刻测试站了...
还水了好多论文

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发表于 2023-9-13 01:11 | 显示全部楼层
工业都是有惯性的,这么落地之后三十年就都是这个技术路线了,不是唱衰,但巨型化的缺点会伴随整个行业很多年
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发表于 2023-9-13 01:19 来自手机 | 显示全部楼层
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发表于 2023-9-13 01:26 来自手机 | 显示全部楼层
以前总是有人说光刻机难度远高过两弹 就是扯淡 当年搞两弹是有没的区别,错过那个时机没搞出来就没了,而以今日我国之国力科技水平 光刻机从来就只是个快慢问题。
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发表于 2023-9-13 01:44 | 显示全部楼层
舞野咲 发表于 2023-9-13 01:11
工业都是有惯性的,这么落地之后三十年就都是这个技术路线了,不是唱衰,但巨型化的缺点会伴随整个行业很多 ...

确实是有惯性的, 上一个版本里本子的佳能尼康才是王者,结果被asml赌对了浸润式技术,挑落马下
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发表于 2023-9-13 02:05 来自手机 | 显示全部楼层
尼康佳能asml都是没有需求端反馈的,或者说这两国半导体行业都快死绝了单纯做一个上游供应商,但对我国来说下游芯片利润是卖光刻机的无数倍,在市场政策层面上游肯定要服务于下游,倾销全世界,用低廉商品与超高的研发制造成本卡死世界99%国家
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