摩尔定律已经到头，以后芯片怎么发展？

熊起 · 发表于 2024-12-7 22:38

卖哥发表于 2024-12-7 09:37
更小的芯片有着更高的良率
传统mcm片上通讯速率受限，芯片没法进一步细分
先进封装大幅提升互联速率，芯 ...

高制程的大芯片太贵, 但是用来连接高制程小芯片的硅片是不是可以又大又便宜? 现在先进封装是不是刻大而便宜的连接片, 然后把高制程小硅片连上去?

stevenzero · 发表于 2024-12-7 23:46

jeokeo 发表于 2024-12-7 09:32
封装我能是了解一些，但是这个先进封装和之前的封装重点差别是啥？

性能啊。
芯片片内互联与片外互联性能差异巨大，先进封装把芯片的不同die互联在一起，这个互联性能与片内互联性能差距太大就没意义了。

dulun59 · 发表于 2024-12-8 07:03

都是FinFET之后的等效纳米数要说单位面积内塞更多晶体管这个目的的确达到了但你真以为实际中间沟道真到1纳米啊？

论坛助手,iPhone

jeokeo · 发表于 2024-12-8 07:24

stevenzero 发表于 2024-12-7 23:46
性能啊。
芯片片内互联与片外互联性能差异巨大，先进封装把芯片的不同die互联在一起，这个互联性能与片内 ...

类似cpu的胶水多核心？

黄油indie · 发表于 2024-12-8 08:16

真实半导体沟道好像是40-45nm之间，intel搞了finfet之后全部都是按晶体管密度换算过来的“等效制程”

hyddx · 发表于 2024-12-8 10:50

aiyouo 发表于 2024-12-7 16:49
我怎么记得前几年就说芯片有什么量子隧穿效应没法增进制程了，结果这两年不还是在进步吗 ...

2020年已经N5，现在最新也不过N3，4年勉强更新了一代，这就是放缓的结果。

发财就收 · 发表于 2024-12-8 11:40

也许未来只能寄托新材料的发现来突破

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