突发！三星试产3nm芯片良率0%！zt

zerocount

变老的大二 发表于 2024-2-3 19:05
试生产没发现问题？

2月2日消息，据韩媒报道，三星3nm工艺存在重大问题，试产芯片均存在缺陷，良品率 0%！

可爱美味祥子

GAA那个横向刻蚀很难想象怎么做，三星之前公布的断面图也是一坨

zhimolin

flow和finfet差别太大了..

—— 来自 HONOR PGT-AN00, Android 14上的 S1Next-鹅版 v2.5.4

Lucario

可爱美味祥子 发表于 2024-2-4 07:45
GAA那个横向刻蚀很难想象怎么做，三星之前公布的断面图也是一坨

很难想象+1，finfet怎么做的就很直观，外行看了点科普也能理解，GAA到底怎么实现这个工艺没看到什么科普，是不是几家的核心机密

gaayas

gaa本来良率就低，棒子想赌一把吧

—— 来自 S1Fun

可爱美味祥子

Lucario 发表于 2024-2-4 08:39
很难想象+1，finfet怎么做的就很直观，外行看了点科普也能理解，GAA到底怎么实现这个工艺没看到什么科普 ...

横向刻蚀对我这种大学学了半吊子半导体的人来说，就像赶尸队操着刻蚀剂拐弯，属于想象力之外的东西了

zhimolin

可爱美味祥子 发表于 2024-2-4 08:52
横向刻蚀对我这种大学学了半吊子半导体的人来说，就像赶尸队操着刻蚀剂拐弯，属于想象力之外的东西了[f:0 ...

可能是低选择比高能plasma掏坑
再用WET之类高选择比的方法吃一下

—— 来自 HONOR PGT-AN00, Android 14上的 S1Next-鹅版 v2.5.4

jojo他提不起劲

三星经常搞这种大干快上的破项目，有问题也留到量产解决傻逼得够够的

—— 来自 nubia NX769J, Android 14上的 S1Next-鹅版 v2.5.4

hyddx

可爱美味祥子 发表于 2024-2-4 08:52
横向刻蚀对我这种大学学了半吊子半导体的人来说，就像赶尸队操着刻蚀剂拐弯，属于想象力之外的东西了[f:0 ...

用牺牲层先填着，然后完成上面的在用针对牺牲层材料的刻蚀药剂去除牺牲层？MEMS里面不是不少这种结构么？

rrtyui

很难想象试产了是怎么做到0的
等于是试制按着头做了验收，有问题也当没问题？

重巡羊舰

公共汽车 发表于 2024-2-3 21:34
肯定想过，无非就是预估偏差大了一点，运气好过段时间试出几个能用的不就行了。

看看其它几家，AMD在十 ...

amd是被坑了，牙膏是领导层决策失误不敢上euv，一码归一码……和三爽情况都不一样

auraria

重巡羊舰 发表于 2024-2-6 14:42
amd是被坑了，牙膏是领导层决策失误不敢上euv，一码归一码……和三爽情况都不一样 ...

牙膏厂不是不敢上，10nm按牙膏厂最初的规划路线，euv还在研发阶段，想用都没得用。

—— 来自 HUAWEI ALT-AL10, Android 12上的 S1Next-鹅版 v2.5.4

shiraikuroko

witten 发表于 2024-2-3 21:51
GAAFet良率这么低，是不是可以代表这个技术即使有希望，难度也会大到不可接受？ ...

GAA理论可行，实际能不能成，不试咋知道？

或许改进了什么工艺，突然就行了