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长江存储公开Xtacking 4.0技术的300层以上(116x3?)NAND专利,从时间上看估计2023年6月6日后投入量产。专利还首次披露Xtacking 5.0(500层以上?)技术细节
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一种三维NAND存储器件结构的制备方法,其特征在于,所述制备方法至少包括:在支撑基底上形成栅线牺牲层/电介质层对的第一叠层结构,并形成贯穿所述第一叠层结构的第一沟道孔,所述栅线牺牲层/电介质层对为栅线牺牲层与电介质层交替堆叠形成;在所述第一叠层结构的正面形成所述栅线牺牲层/电介质层对的第二叠层结构,并形成贯穿所述第二叠层结构的第二沟道孔,且所述第一沟道孔与所述第二沟道孔连通;在所述第一沟道孔及所述第二沟道孔的表面上形成功能层及沟道层,并使用沟道填充电介质填充所述第一沟道孔及所述第二沟道孔;形成贯穿所述第一叠层结构及所述第二叠层结构的栅极间隙,基于所述栅极间隙将所述栅线牺牲层置换为栅极层,并在所述栅极间隙中填充间隙绝缘层;去除所述支撑基底,并在所述第一叠层结构的背面形成第三叠层结构;刻蚀所述第三叠层结构,以形成显露所述第一沟道孔底部的所述功能层的第一刻蚀窗口,并基于所述第一刻蚀窗口去除所述第一沟道孔底部的所述功能层;在所述第一刻蚀窗口中填充沟道连接层,所述沟道连接层与所述沟道层连接。
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作为示例,所述三维NAND存储器件结构还包括:栅极间隙,贯穿所述第四叠层结构及第五叠层结构
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有人说长江存储因为国外禁运232层已经停产了,看来没人看我知乎上的贴子
长江存储232层3D NAND外国公司拆解后的最新发现:意想不到的技术突破!没有使用蚀刻深宽比达109:1的蚀刻机技术(仅美国泛林公司掌握)同样做出来了。看文中大意推测是55:1左右(国产60:1)。
编辑于 2023-09-06 12:18・IP 属地天津 |
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