三星：我们的传感器可以干烂索尼

fantasay · 发表于 2023-4-25 13:42

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heliosu · 发表于 2023-4-25 13:48

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dirgelegend · 发表于 2023-4-25 13:48

倒是没说谎

— from Xiaomi 22041216G, Android 13 of S1 Next Goose v2.5.2-play

fantasay · 发表于 2023-4-25 13:48

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沙发沙发 · 发表于 2023-4-25 13:59

正好看见爆料说明年旗舰很多一亿像素两亿像素的，意思是明年大伙改用三星了？

兰开夏 · 发表于 2023-4-25 14:01

没错。

dengdewey · 发表于 2023-4-25 14:05

话说手机主摄这个底应该还可以更大吧，那有个大概的极限吗？

fantasay · 发表于 2023-4-25 14:12

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a9okalypse · 发表于 2023-4-25 14:21

dengdewey 发表于 2023-4-25 14:05
话说手机主摄这个底应该还可以更大吧，那有个大概的极限吗？

1寸底已经快到头了吧，宣传1寸底的很多手机都得裁切

umamusume · 发表于 2023-4-25 14:46

三星这狗屎
从s20开始拍照不清楚多少代了改过不啦?

—— 来自 samsung SM-S9160, Android 13上的 S1Next-鹅版 v2.5.4

navarra · 发表于 2023-4-25 14:47

fantasay 发表于 2023-4-25 14:12
不知道，苹果明年用的是索尼最新的传感器。

三星2021年就在说两个亿像素传感器来了来了，现在还没动静呢 ...

我一定用的是假的2亿像素，我可不可以索赔

—— 来自 samsung SM-S9180, Android 13上的 S1Next-鹅版 v2.5.4

百猪夜行 · 发表于 2023-4-25 14:53

dengdewey 发表于 2023-4-25 14:05
话说手机主摄这个底应该还可以更大吧，那有个大概的极限吗？

一寸底的手机已经很厚了，底再大手机就要变微单了，应该没几个人喜欢口袋里揣个微单吧，后续要靠传感器和成像算法进一步优化了

—— 来自 Xiaomi 2304FPN6DC, Android 13上的 S1Next-鹅版 v2.5.4

霧亥 · 发表于 2023-4-25 15:00

今年三星发力了高阱容，这应该是以后的趋势了，一寸底这种后背没法忍受

sakuraNTET · 发表于 2023-4-25 15:04

沙发沙发发表于 2023-4-25 13:59
正好看见爆料说明年旗舰很多一亿像素两亿像素的，意思是明年大伙改用三星了？ ...

索尼版hmx公布了，imx802…

—— 来自 Xiaomi Mi 10 Pro, Android 13上的 S1Next-鹅版 v2.5.4

广东侠 · 发表于 2023-4-25 15:16

fantasay 发表于 2023-4-25 13:48
但传感器索尼占据百分之50。。。

索尼技术远不如三星，hp2高阱容吊打索尼全家，现在索尼纯粹还是靠着大小撑着而已

广东侠 · 发表于 2023-4-25 15:17

本帖最后由广东侠于 2023-4-25 15:34 编辑

dengdewey 发表于 2023-4-25 14:05
话说手机主摄这个底应该还可以更大吧，那有个大概的极限吗？

大概率不会再加了，一寸底已经是极限了，未来还是三星技术路线比较适合

dengdewey · 发表于 2023-4-25 15:23

广东侠发表于 2023-4-25 15:17
大概率不会再加了，一寸底已经是极限了，未来还是三星技术路线比较适合索尼 ...

那要这么说的话，有可能几个副摄也给个一寸底嘛

fantasay · 发表于 2023-4-25 15:23

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Ichthy · 发表于 2023-4-25 15:24

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d2loader · 发表于 2023-4-25 15:29

高阱容1寸底2亿像素

三棒如果做出这个来, 估计战争也结束了

广东侠 · 发表于 2023-4-25 15:36

dengdewey 发表于 2023-4-25 15:23
那要这么说的话，有可能几个副摄也给个一寸底嘛

手机空间不够大了，你去看findx6p的拆机，规格是一寸底主摄+imx890超广+imx890潜望式65mm长焦，已经堆叠到极致了

被雨困住的城市 · 发表于 2023-4-25 15:39

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camelia_vie2 · 发表于 2023-4-25 15:50

d2loader 发表于 2023-4-25 15:29
高阱容1寸底2亿像素

三棒如果做出这个来, 估计战争也结束了

hp2除了是1.3底已经是这个形状了呀

baicon · 发表于 2023-4-25 16:39

转科技新闻连个现在转载的科技发展到哪里都不知道

萌萌哒兆兆 · 发表于 2023-4-25 17:31

单反几家早些年在传三星要重新入局帮观音做cmos暴打索尼，索尼现在cmos制成是28还是40的，说是产量大三星能做的14的

反正比观音120的强，不知道观音这两年瘪的怎么样

M1NG · 发表于 2023-4-25 17:38

佳能就算球了吧，用着烂cmos还不是市场份额稳居第一。真病急乱投医也是尼康宾得，不过三星自己都不在意相机行业，全幅coms怕不是图都还没画好项目部就被砍掉了

论坛助手,iPhone

广东侠 · 发表于 2023-4-25 17:57

萌萌哒兆兆发表于 2023-4-25 17:31
单反几家早些年在传三星要重新入局帮观音做cmos暴打索尼，索尼现在cmos制成是28还是40的，说是产量大三星能 ...

消费级相机已经慢性死亡了，未来都是抢手机cmos的订单，就现在这批安卓旗舰机打apsc+狗头已经不落下风了，等三星这套东西成熟普及加上ai扣图能力上来了之后，很难说相机市场还能保住多少份额，感觉要复刻耳机行业的故事了

herostratus · 发表于 2023-4-25 18:02

台积电在熊本的新厂就是和索尼合资做cmos的，开在原来的sck工厂附近，发力高级制程

514921be1f183b6 · 发表于 2023-4-25 18:06

看标题还以为三星手机要对标索尼手机，心想三星都混到这种程度了吗。

Ichthy · 发表于 2023-4-25 19:35

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Midnight.Coup · 发表于 2023-4-25 20:34

这不是已经不卷手机改卷车机了嘛

_47 · 发表于 2023-4-26 01:27

萌萌哒兆兆发表于 2023-4-25 17:31
单反几家早些年在传三星要重新入局帮观音做cmos暴打索尼，索尼现在cmos制成是28还是40的，说是产量大三星能 ...

IMX610的模拟层是90nm，逻辑层40nm。

eienyami · 发表于 2023-4-26 07:08

萌萌哒兆兆发表于 2023-4-25 17:31
单反几家早些年在传三星要重新入局帮观音做cmos暴打索尼，索尼现在cmos制成是28还是40的，说是产量大三星能 ...

感动？早90了… 80d，m62,r7那块32m就是90的都几年了，就是不知道r3,r5,r62是多少

—— 来自 HUAWEI ANA-AN00, Android 12上的 S1Next-鹅版 v2.5.4

izthr · 发表于 2023-4-26 11:21

dengdewey 发表于 2023-4-25 14:05
话说手机主摄这个底应该还可以更大吧，那有个大概的极限吗？

除非你想用3cm的手机，否则彻底到头了

izthr · 发表于 2023-4-26 11:24

dengdewey 发表于 2023-4-25 15:23
那要这么说的话，有可能几个副摄也给个一寸底嘛

副摄不可能，尤其是长焦，没这么大的镜片口径，强行1寸直接来个突出几厘米，谁也**

Mchaos · 发表于 2023-4-26 12:12

现在手机人均后背一大坨真是看了就想吐，说实话s23u这个微凸我都不太想接受

—— 来自 samsung SM-S9180, Android 13上的 S1Next-鹅版 v2.5.4

lxx4869 · 发表于 2023-4-29 13:50

首先，绝大多数手机的传感器已经是“双层传感器”、“双层CMOS”。
搞错了这一点的人，在说什么晶圆面积翻倍巴拉巴拉，双层等于双倍画质巴拉巴拉。

它们并不理解现在应用于手机的堆栈式传感器，是模拟层+数字层上下堆叠，用硅穿孔或铜直接键合互联工艺链接。
所以，真正意义上的”双层传感器“早普及了，甚至索尼的小尺寸含DRAM芯片的堆栈式传感器，已经做到了三层堆栈：模拟层+DRAM层+逻辑层。

索尼半导体声称的“双层”是什么？“双层晶体管”。就是模拟层接受感光的PD和必要的传输门、浮动扩散放在一起，其他模拟电路比如复位晶体管、选择晶体管、放大晶体管、信号线路，全部反正不受光的另一层模拟层。
所以它构成“双模拟层”的架构，加上堆栈式传感器的数字层电路，总共构成了“三层堆栈”，硬要说是“三层传感器”，完全没问题，只是索尼不这么宣传，选择了“双层晶体管”——也就是突出重点。

总体晶圆面积增加50%，但上方的模拟层工艺是成熟的90nm低噪声工艺，这方面的成本提升其实不大。真正困难的是两个模拟层之间的Cu-Cu链接，精度很重要，歪了直接放电漏电；结构强度也重要，两层模拟层像没打穿的筛网，确实很难打磨。
甚至出现了子链接的情况，把低端Quad Bayer 双层晶体管传感器的链接点减少。
因此，不存在“晶圆面积翻倍，成本翻倍，超高端”的说法。

然后说一下画质的改善。
“这一全新的结构使饱和信号量约提升至原来的2倍（基于1um像素设计）”

这个问题得等实际量产去考察，它是一种工程解决方式——手机传感器的像素越来越小，自身的模拟工艺过于粗，导致其他模拟元器件挤压了感光像元的空间。
索半搞双层晶体管，缓解像元的填充系数下降问题，感光的模拟层中，像素占据的面积比例更高；最终导致FWC（饱和度）提升了。
“因为使用了”双层晶体管“，1+1=2，所以FWC翻倍”。的说法和想法是不成立的。

FWC，满井饱和度提升，其实是提升传感器的极限低感光度。
假设标定传感器的量子效率，其1um²的饱和度为2500e-为ISO100，那么，1um²的饱和度为10000e-时，可以认为ISO25，饱和度是四倍。
所以无论是“D-VTG”、“双层晶体管”，这类技术写到提升FWC，并不是提升高感光度效果，而是提升室外大日光场景的吃光子量。
延长曝光时间，进而让物理决定的√FWC = 散粒噪声更低，实现更高的信噪比。

千万不要搞错这一点，FWC和高感无关，极限高感拼量子效率、暗电流、均方根噪声。
索半声称的方式为：”通过增加放大晶体管尺寸，索尼成功地大幅降低了夜间和其他昏暗场景下图像容易产生的噪点问题。“
其实是Amp尺寸加大、性能加强，再配上大填充系数的更高QE。这是”双层晶体管“的副产物，其实可以划入工艺性能提升的部分。

这个就好像，HP2用了Dual VTG+F-DTI这种监控级像素设计，有效提升FWC，同时辅以像素工艺设计提升RMS Noise表现。
一些人滑稽地错误归因，搞出”HP2->使用D-VTG->FWC提升->高感提升“的错误思维链条，现在在索半的”双层晶体管“再次出现。[汗]
了解情况的人还是要多对误解的人强调：FWC提升和高感提升是并行的关系啊。

liangjin2 · 发表于 2023-4-29 13:55

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sqlist · 发表于 2023-4-29 13:59

liangjin2 发表于 2023-4-29 13:55
ov指哪个？

豪威光学，现在是中国企业

Yugao · 发表于 2023-4-29 16:06

但是s23U上那个主摄的传感器明显也是个试水的作品，开2E模式动不动紫边，起码在软件调试层面三星自己都解决不了，对比大家都用的很熟悉的989，很难说有优势

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