熊起 发表于 2024-12-7 22:38

卖哥 发表于 2024-12-7 09:37
更小的芯片有着更高的良率
传统mcm片上通讯速率受限，芯片没法进一步细分
先进封装大幅提升互联速率，芯 ...

高制程的大芯片太贵, 但是用来连接高制程小芯片的硅片是不是可以又大又便宜? 现在先进封装是不是刻大而便宜的连接片, 然后把高制程小硅片连上去?

stevenzero 发表于 2024-12-7 23:46

jeokeo 发表于 2024-12-7 09:32
封装我能是了解一些，但是这个先进封装和之前的封装重点差别是啥？

性能啊。
芯片片内互联与片外互联性能差异巨大，先进封装把芯片的不同die互联在一起，这个互联性能与片内互联性能差距太大就没意义了。

dulun59 发表于 2024-12-8 07:03

都是FinFET之后的等效纳米数 要说单位面积内塞更多晶体管 这个目的的确达到了 但你真以为实际中间沟道真到1纳米啊？

论坛助手,iPhone

jeokeo 发表于 2024-12-8 07:24

stevenzero 发表于 2024-12-7 23:46
性能啊。
芯片片内互联与片外互联性能差异巨大，先进封装把芯片的不同die互联在一起，这个互联性能与片内 ...

类似cpu的胶水多核心？

黄油indie 发表于 2024-12-8 08:16

真实半导体沟道好像是40-45nm之间，intel搞了finfet之后全部都是按晶体管密度换算过来的“等效制程”

hyddx 发表于 2024-12-8 10:50

aiyouo 发表于 2024-12-7 16:49
我怎么记得前几年就说芯片有什么量子隧穿效应没法增进制程了，结果这两年不还是在进步吗 ...
2020年已经N5，现在最新也不过N3，4年勉强更新了一代，这就是放缓的结果。

发财就收 发表于 2024-12-8 11:40

也许未来只能寄托新材料的发现来突破

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