intel制程工艺迎来爆发性进步,或可短时间突破至6nm或5nm
https://www.expreview.com/78529.html在过去的几年中,英特尔虽然在制程推进上不如人意,但无可否认,在半导体制造方面还是进行了很多努力。从10nm工艺节点研发惨败开始,英特尔已经将新的工艺节点推迟了好几年,似乎怎么样做都无法按计划进度推进。如果时光回到数年前,人们很难想象一向走在前面的英特尔,出现如此糟糕的情况,给自己整个产品线的布置带来了更多问题。采用新工艺的产能无法提高的问题也存在很长时间了,直到最近英特尔才开始扩充其10nm工艺的产品线。反观台积电(TSMC)却以惊人的速度不断推进工艺节点,目前已经在5nm工艺节点上实现量产,而且在年内会进行4nm工艺节点的试产。为了保持竞争力,英特尔需要采取新的策略应对。以目前的研发进度,当台积电在2023年切换到3nm工艺节点的时候,英特尔很可能才到7nm工艺节点。至少在营销上就会产生很大的问题,意味着英特尔的工艺不如其竞争对手,即使英特尔在某些方面的技术指标并不比对方差,但仍然会让英特尔处于明显的劣势。据《Oregon Live》报道,为了解决这个问题,英特尔可能会工艺节点的名称进行重新命名,改变以往的命名规则,提供符合行业约定标准的新名称。在这点上也并非没有先例,或许英特尔可以参照三星的做法。大概英特尔已经厌倦了每次技术演讲中,反复争辩其工艺水平的问题。暂时仍不清楚具体细则,或者什么时候会出现这种改变。英特尔也拒绝对此进行评论,只是重申在他们认为其芯片比目前描述的更先进。英特尔认为业界目前对工艺的命名存在问题,由于标准不一致和长期混乱,没有反映出技术上的创新。
给你讲我就这个表情 改名是核心竞争力,没毛病! 学习到了三星先进的营销经验 学习三星先进经验
—— 来自 S1Fun 1+4nm可不就是5nm么
—— 来自 samsung SM-G9860, Android 11上的 S1Next-鹅版 v2.4.4.1 膏厂改名办 改名就能完成kpi,ssd是这样,cpu也是这样,fp也是这样 应该就是7nm出来的时候要想办法换个名字营销吧
毕竟是押上重宝的翻身一代,一出来就坠了名头那可怎么办 靠ppt么? 建议去阿里挖几个产品啊
每次看阿里的PPT都看不懂 哈哈,这是从14年到现在年年在突破 以前diss农企工艺的时候,怎么不说同代工艺牙膏远不如农企呢?现在到和台积电的低成本工艺比起来了。 本来10nm,7nm,5nm都不是实际物理线宽
天天玩14nm+的梗英特尔也遭不住
某种意义上14nm+就是10nm,真有14nm++就是7nm
而且英特尔的hk也算顶级漏电控制了,比起谋5nm厂漏电水平不行还继续吹自己先进flow的fab还是良心不少的。
最 基 础 的 性 能 参 数 https://p.sda1.dev/1/fe90d09e042cefb84cc6c14c710ae00e/IMG_CMP_231281748.jpeg 改名部! 到底牙膏厂14nm/10nm和7nm什么水平啊
台积电5nm出来之前说牙膏厂10nm比肩台积电7nm,怎么现在又冒出来个牙膏厂14nm++比肩台积电7nm,那牙膏厂10nm不得比台积电5nm还好
本帖最后由 CyanCloverFern 于 2021-4-1 10:20 编辑
鲁邦三世1 发表于 2021-4-1 10:01
到底牙膏厂14nm/10nm和7nm什么水平啊
台积电5nm出来之前说牙膏厂10nm比肩台积电7nm,怎么现在又冒出来个牙 ...
按纯密度来说10同等于台漏电7,牙膏7介于台漏电5-3。
按高频的话,14++++打磨太高了,这个应该在GAA之前没有能超越的了,9代10代一些体质好的1.2V能冲上全核5+,TSMC7在PBO单核冲上5时电压都上1.5了。(在不算SOI时,但是SOI没有什么人用了) 鲁邦三世1 发表于 2021-4-1 10:01
到底牙膏厂14nm/10nm和7nm什么水平啊
台积电5nm出来之前说牙膏厂10nm比肩台积电7nm,怎么现在又冒出来个牙 ...
以sram尺寸算,牙膏10nm高密度库0.0312 µm²,台积电10nm 0.042,7nm 0.027,三星10nm 0.04,7nm 0.026。牙膏的10nm比代工厂的同代工艺强很多,放到代工厂估计会取名8nm。
PS 台积电5nm 0.021,三星5lpp还是0.026,其他参数和7nm全部持平——所以888才那么拉跨。 里少 发表于 2021-4-1 09:35
本来10nm,7nm,5nm都不是实际物理线宽
天天玩14nm+的梗英特尔也遭不住
某种意义上14nm+就是10nm,真有14nm ...
哇现在已经把14nm++吹成7nm了?
Zen 2核心面积是74mm2,晶体管39亿
i9-9900K 180mm2,外界猜是40亿
CyanCloverFern 发表于 2021-4-1 10:18
按纯密度来说10同等于台漏电7,牙膏7介于台漏电5-3。
按高频的话,14++++打磨太高了,这个应该在GAA之前 ...
100M密度的是lp库,估计只能做CPU的外围,10nm uhp库只有62M。 john 发表于 2021-4-1 10:20
哇现在已经把14nm++吹成7nm了?
Zen 2核心面积是74mm2,晶体管39亿
哪有40亿,6700K才17.5亿,122的面积,14++的密度还下降了,9900K估计只有25亿多。这次11代260的面积,到可能有40亿。 工艺没问题怎么性能表现这么拉垮 那么古尔丹,代价是什么呢
— from samsung SM-G981U1, Android 11 of S1 Next Goose v2.4.4 鲁邦三世1 发表于 2021-4-1 10:01
到底牙膏厂14nm/10nm和7nm什么水平啊
台积电5nm出来之前说牙膏厂10nm比肩台积电7nm,怎么现在又冒出来个牙 ...
图有点旧了,最后一列信息过时,大体参数没变化。
改名也没用啊,产品被吊打 14+=> 1 4 +
逆波兰式,没毛病 CyanCloverFern 发表于 2021-3-31 18:18
按纯密度来说10同等于台漏电7,牙膏7介于台漏电5-3。
按高频的话,14++++打磨太高了,这个应该在GAA之前没 ...
我跟你讲,台积电20nm的SPARC M8也可以全核5+的 里少 发表于 2021-3-31 17:35
本来10nm,7nm,5nm都不是实际物理线宽
天天玩14nm+的梗英特尔也遭不住
某种意义上14nm+就是10nm,真有14nm ...
14++是牺牲密度换高频性能的14,你只看性能不看密度当然厉害了。PPA(Power、Performance、Area)必须放在一起比较,指着其中一项说多厉害没意义。 请看极客湾最新一期
—— 来自 Xiaomi M2007J3SC, Android 10上的 S1Next-鹅版 v2.4.4.1 sblnrrk 发表于 2021-4-1 15:40
没这说法,台积电公认最垃圾的20nm也就是高通810一代,能造个5g sparc。gf14hp给ibm用,800平方超大核能 ...
有一说一GF14HP(他们自己叫12FDX)性能还是可以的,毕竟这个是从IBM继承来的FDSOI工艺,不是从三星买的14nm。
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