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[青黑无脑不要游戏只求一战] ps5以后有可能存在的隐患(猜想)

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发表于 2020-10-8 07:40 来自手机 | 显示全部楼层 |阅读模式
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发表于 2020-10-8 08:03 来自手机 | 显示全部楼层
差不多得了😅

—— 来自 Xiaomi Redmi K30 Pro, Android 11上的 S1Next-鹅版 v2.4.2
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发表于 2020-10-8 08:15 来自手机 | 显示全部楼层
总有新活

—— 来自 OnePlus GM1910, Android 10上的 S1Next-鹅版 v2.4.3
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发表于 2020-10-8 08:18 | 显示全部楼层
PS5FALL
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发表于 2020-10-8 08:20 来自手机 | 显示全部楼层
fall……
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发表于 2020-10-8 08:22 | 显示全部楼层
那个主进风口,看拆解,是进不到主机内部的
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发表于 2020-10-8 08:28 | 显示全部楼层
提前恭喜微软赢下本世代主机战争
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发表于 2020-10-8 08:29 来自手机 | 显示全部楼层
今天索尼fall了吗
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发表于 2020-10-8 08:30 | 显示全部楼层
反正ps5也就是用来玩玩那几个限时独占,io速度能掉到哪去
真game play还得看30系显卡
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发表于 2020-10-8 08:31 来自手机 | 显示全部楼层
可是xsx的ssd也是焊在主板上的,ns内置存储也是焊在主板上的,三家都一样不好吗

—— 来自 OnePlus GM1910, Android 10上的 S1Next-鹅版 v2.4.3
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发表于 2020-10-8 08:47 来自手机 | 显示全部楼层
蟑螂窝
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发表于 2020-10-8 08:48 来自手机 | 显示全部楼层
HinataY 发表于 2020-10-8 08:31
可是xsx的ssd也是焊在主板上的,ns内置存储也是焊在主板上的,三家都一样不好吗

—— 来自 OnePlus ...

switch的存储是个独立的模块……

—— 来自 samsung SM-G9880, Android 10上的 S1Next-鹅版 v2.4.3
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发表于 2020-10-8 08:48 来自手机 | 显示全部楼层
XSX表面存在大量开口,内部空隙大,散热能力不足,温暖的机内环境能让小强有充分温暖与舒适的自由活动空间
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发表于 2020-10-8 08:53 | 显示全部楼层
本帖最后由 a9okalypse 于 2020-10-8 08:57 编辑

1. 主机都能生蟑螂的建议反思自己个人卫生习惯

2. https://patentscope.wipo.int/search/en/detail.jsf;jsessionid=78A9F543C367E98FE1534F11907CE439.wapp2nA?docId=WO2020162417&tab=PCTBIBLIO
[ 図 1A][ 図 1B]

[0026]
[シール部材と絶縁部]
 熱伝導材料31は流動性を有するので、冷却性能を発揮するためには、熱伝導材料31が広がる範囲を制限することが必要となる。また、熱伝導材料31は導電性を有するので、第2領域A2に設けられているキャパシタ16や回路パターンに熱伝導材料31が触れないように、熱伝導材料31が広がる範囲を制限することが必要となる。また、熱伝導材料31は、半導体装置10の外側(スティフナー14の外側)にある電子機器1の他の部品に接することも望ましくない。そこで、電子機器1は、以下の構造を有する。

[0027]
[絶縁部]
 図1Aで示すように、半導体装置10は、第2領域A2(図2参照)に設けられている導体要素、すなわちキャパシタ16や回路パターンを覆う絶縁部15を有している。半導体装置10の例において、絶縁部15は、図1Bで示すように、スティフナー14の内面と半導体チップ11の側面11bとの間に形成されている。絶縁部15は第2領域A2の全体に形成されており、スティフナー14の内面と半導体チップ11の側面11bとに接している。このため、絶縁部15の内周部は、半導体チップ11と基板17との間に形成されているアンダーフィル23の外周部23a(図1B参照)の上側に重なっている。絶縁部15は第1領域A1には形成されておらず、半導体チップ11の上面11aは絶縁部15から露出している。
[0028]
 絶縁部15は、例えば樹脂である。より具体的には、絶縁部15は、液状又はジェル状の樹脂が硬化した部分である。絶縁部15としては、例えば紫外線硬化性の樹脂が利用できる。樹脂は第2領域A2の導体要素(すなわち、キャパシタ16や回路パターン)を覆うように塗布され、その後、紫外線を受けて硬化し、絶縁部15を形成する。この絶縁部15によって、熱伝導材料31が第2領域A2にある導体要素に触れることを防ぐことができる。
[0029]
 図1Bで示すように、絶縁部15の上面15aの高さH2(基板17の上面17aからの高さ)は、半導体チップ11の上面11aの高さH1(基板17の上面17aからの高さ)よりも小さい。このことによって、絶縁部15の上面15aから放熱器50の下面50cまでの距離が、半導体チップ11の上面11aから放熱器50の下面50cまでの距離よりも大きくなる。このため、放熱器50が半導体チップ11に向けて押されたとき、絶縁部15と放熱器50の下面50cとの干渉が発生せず、放熱器50と半導体チップ11との密着性が十分に確保され得る。
[0030]
 図1Bで示すように、半導体装置10の例では、キャパシタ16の上面16aの高さ(基板17の上面17aからの高さ)は、半導体チップ11の上面11aの高さH1よりも小さい。絶縁部15は、キャパシタ16の上面16aを覆うのが望ましい。言い換えれば、キャパシタ16の全体が絶縁部15によって覆われていることが好ましい。こうすることで、熱伝導材料31がキャパシタ16に触れることを確実に防ぐことができる。キャパシタ16の全体が絶縁部15に埋まっていてよい。
[0031]
 また、図1Bで示すように、スティフナー14の上面14aの高さH3(基板17の上面17aからの高さ)は、半導体チップ11の上面11aの高さH1よりも小さい。絶縁部15の上面15aの高さH2は、スティフナー14の上面14aの高さH3よりも小さい。このため、放熱器50が半導体チップ11に向けて押されたとき、スティフナー14と放熱器50の下面50cとの干渉が発生せず、放熱器50と半導体チップ11との密着性が十分に確保され得る。図1Bで示す例とは異なり、絶縁部15の上面15aの高さH2は、スティフナー14の上面14aの高さH3と同じでもよい。
[0032]
 基板17の上面17aに露出している回路パターンやキャパシタ16などの導体要素が、第2領域A2の一部にだけ形成されている場合、絶縁部15は第2領域A2のこの一部にだけ形成されてよい。例えば、図3Cに示すように、絶縁部15は、半導体チップ11の側面11bから離れていてもよい。この図に示す例では、絶縁部15と半導体チップ11の側面11bとの間に、後述するシール部材33が配置されている。このような絶縁部15は、例えばこのシール部材33とスティフナー14との間に供給された液状又はジェル状の樹脂(具体的には、紫外線硬化性の樹脂)が硬化した部分であってよい。
[0033]
[シール部材]
 電子機器1は、熱伝導材料31を囲むシール部材33(図1A参照)を有している。シール部材33には平面視において四角い開口が形成されており、シール部材33の内側に熱伝導材料31と半導体チップ11とが位置している(図2参照)。図1Bで示すように、シール部材33は半導体装置10と放熱器50の下面50cとの間に位置し、それらの間の隙間をシールし、半導体装置10の内側に熱伝導材料31を留める。シール部材33は半導体チップ11の外周縁(側面11b)から離れている。このため、半導体チップ11の上面11aの全体に上述した熱伝導材料31を塗布することが可能となっている。すなわち、上面11aの四つの縁部まで連続的に熱伝導材料31を塗布することが可能となっている。
[0034]
 シール部材33は、例えば、絶縁部15の上面15aと放熱器50の下面50cとの間に配置され、この2つの面15a、50cによって挟まれている。シール部材33は放熱器50の下面50cに取り付けられてよい。シール部材33は、例えば、放熱器50の下面50cに接着されてよい。反対に、シール部材33は、絶縁部15の上面15aに取り付けられてよい。シール部材33は、例えば、絶縁部15の上面15aに接着されてよい。
[0035]
 また、シール部材33は、絶縁部15によって覆われるキャパシタ16の上方に位置する部分を有してよい。すなわち、シール部材33は、半導体装置10の平面視においてキャパシタ16と重なる部分を有してよい。このような位置関係を有する半導体装置10によると、水平方向において大きな幅を有するシール部材33を採用することが可能となり、シール性が向上できる。シール部材33の内側には空気が存在するスペースSが形成されている。
[0036]
 シール部材33は、例えばクッション性を有する材料で形成される。すなわち、シール部材33は、半導体チップ11の上面11aと放熱器50の下面50cとが向き合う方向、すなわち上下方向におけるシール部材33の厚さの変化を許容する材料で形成されている。シール部材33の材料は、例えばゴムや、スポンジ、発泡性を有する樹脂、シリコーンなどである。こうすることによって、放熱器50が弾性部材によって半導体チップ11に押しつけられた場合でも、シール部材33を通して半導体装置10に作用する負荷が軽減できる。
[0037]
 シール部材33の位置は、図1Bに示す例に限られない。例えば、図3Aに示すように、シール部材33は、絶縁部15の上面15aと放熱器50の下面50cとの間に位置し、且つキャパシタ16の位置を避けていてもよい。すなわち、シール部材33は、平面視においてキャパシタ16と重ならないように配置されてもよい。こうすることによって、放熱器50からシール部材33を通してキャパシタ16に負荷が作用することを、防ぐことができる。
[0038]
 さらに他の例では、図3Bに示すように、シール部材33は、スティフナー14の上面14aと放熱器50の下面50cとの間に配置され、この2つの面14a、50aによって挟まれてもよい。スティフナー14は金属で形成されており、絶縁部15よりも高い剛性を有する。高い剛性を有するスティフナー14にシール部材33が押し当てられるので、シール部材33とスティフナー14との間の接圧を向上できる。その結果、シール部材33による密閉性が向上できる。
[0039]
 上述したように、絶縁部15はキャパシタ16の位置に形成され、半導体チップ11の側面11bから離れていてもよい。この場合、図3Cに示すように、シール部材33は絶縁部15の内側に位置してもよい。そして、シール部材33は、基板17の上面17aと放熱器50の下面50cとの間に配置され、この2つの面17a、50cによって挟まれてもよい。
[0040]
 つまり、シール部材33の内周面33a(半導体チップ11を取り囲む面)は半導体チップ11の外縁より外側に位置し、半導体チップ11とは重ならなければよい。シール部材11の外周面33b(内周面33aとは反対側に向いている面)は、半導体装置10の外縁(半導体装置10の例では、スティフナー14の外縁)より内側に位置すればよい。

人家已经帮你想好了,电容上面覆盖绝缘树脂,上面再围一圈发泡树脂,还想怎样

3. 原来xsx的固态没焊在主板上?

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发表于 2020-10-8 09:03 来自手机 | 显示全部楼层
我认为不用考虑掉速问题。多少年前就解决了
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发表于 2020-10-8 09:08 来自手机 | 显示全部楼层
a9okalypse 发表于 2020-10-8 08:53
1. 主机都能生蟑螂的建议反思自己个人卫生习惯

2. https://patentscope.wipo.int/search/en/detail.jsf;js ...

绝缘树脂的寿命呢?一般来说能用很久,但是高温下就不好说了,毕竟是高分子材料,氧化分解、自然劣化都是正常的。外部环境对寿命影响很大。
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发表于 2020-10-8 09:13 来自手机 | 显示全部楼层
navarra 发表于 2020-10-8 08:48
switch的存储是个独立的模块……

—— 来自 samsung SM-G9880, Android 10上的 S1Next-鹅版 v2.4.3 ...

其实焊不焊也没关系,现在游戏机的系统都是装在内置储存上的,这个坏了就算自己能换,也搞不来系统
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发表于 2020-10-8 09:18 | 显示全部楼层
本帖最后由 a9okalypse 于 2020-10-8 09:21 编辑
mcq_2 发表于 2020-10-8 09:08
绝缘树脂的寿命呢?一般来说能用很久,但是高温下就不好说了,毕竟是高分子材料,氧化分解、自然劣化都是 ...

exm,一块双槽显卡大的散热片压着,这APU能有多热,70度?这对UV树脂算事吗?
编辑: https://www.m-chemical.co.jp/pro ... t/1203777_9228.html
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发表于 2020-10-8 09:24 | 显示全部楼层
a9okalypse 发表于 2020-10-8 09:18
exm,一块双槽显卡大的散热片压着,这APU能有多热,70度?这对UV树脂算事吗? ...

不好说,看改性剂的情况了。但是普通来说这个温度对基材的影响就很大了。另外环境湿度也有影响。具体要看实际验证情况。
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发表于 2020-10-8 09:27 | 显示全部楼层
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发表于 2020-10-8 09:53 来自手机 | 显示全部楼层
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发表于 2020-10-8 09:59 | 显示全部楼层
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发表于 2020-10-8 10:24 来自手机 | 显示全部楼层
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发表于 2020-10-8 10:30 来自手机 | 显示全部楼层
HinataY 发表于 2020-10-8 08:31
可是xsx的ssd也是焊在主板上的,ns内置存储也是焊在主板上的,三家都一样不好吗

—— 来自 OnePlus ...

xsx的存储是个独立的模块...

—— 来自 OPPO PCLM10, Android 10上的 S1Next-鹅版 v2.4.3
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发表于 2020-10-8 10:45 来自手机 | 显示全部楼层
aceralon 发表于 2020-10-8 10:30
xsx的存储是个独立的模块...

—— 来自 OPPO PCLM10, Android 10上的 S1Next-鹅版 v2.4.3 ...

https://b23.tv/UOpgUg
“独立模块”说得好听,就像你可以随时自己拆下来换个新的一样

—— 来自 OnePlus GM1910, Android 10上的 S1Next-鹅版 v2.4.3
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发表于 2020-10-8 10:48 | 显示全部楼层
本帖最后由 aceralon 于 2020-10-8 10:50 编辑
HinataY 发表于 2020-10-8 10:45
https://b23.tv/UOpgUg
“独立模块”说得好听,就像你可以随时自己拆下来换个新的一样

那也比要整块主板换要好
刚才还说焊在主板上呢,现在就一转不能自己换了?


而且这玩意看起来还真的能自己换,只要把罩子拆了扭个螺丝就下来了,就看华强北有没有出配件了
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发表于 2020-10-8 13:06 | 显示全部楼层
aceralon 发表于 2020-10-8 10:48
那也比要整块主板换要好
刚才还说焊在主板上呢,现在就一转不能自己换了?

屏蔽罩能拆又不能说明下面ssd能换,不如说屏蔽罩这么薄,下面的芯片不是焊死的话用的到底是什么黑科技接口?
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发表于 2020-10-8 13:08 | 显示全部楼层
不是,现在都快进到换原装的ssd了么
合理点,大不了买存储卡呗
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发表于 2020-10-8 13:13 来自手机 | 显示全部楼层
硬盘能外接吗,博德3这种回合制战棋都150G了,以后索尼的第一方岂不是一个要三百G起?
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发表于 2020-10-8 13:15 | 显示全部楼层
本帖最后由 dumplingpro 于 2020-10-8 13:17 编辑

主要怕是风扇起飞。

加上这么大体积,等于薄一点的台式机了,显示器党大失败。
我已经想象到,桌子一边放台式机,一边放PS5,玩赛车游戏的时候,风扇跟涡轮引擎一样物理配音了。
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发表于 2020-10-8 13:23 来自手机 | 显示全部楼层
mjzs07 发表于 2020-10-8 13:13
硬盘能外接吗,博德3这种回合制战棋都150G了,以后索尼的第一方岂不是一个要三百G起? ...

这两天最热的ps5官方拆解还没看吗?都直接给m.2口了
2020年索尼都不玩储存卡,直接给通用接口了,微软反而去搞sb专用接口

—— 来自 OnePlus GM1910, Android 10上的 S1Next-鹅版 v2.4.3
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发表于 2020-10-8 14:04 来自手机 | 显示全部楼层
急个毛线,发售后不出俩月啖了头汤还是头自然见分晓。

从PS3和PS4的首发历史看,这浑水我是决不会趟的
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发表于 2020-10-8 14:07 来自手机 | 显示全部楼层
苦主 发表于 2020-10-8 08:28
提前恭喜微软赢下本世代主机战争

可不好说,switch也是本世代主机,领先好几个身位呢
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发表于 2020-10-8 14:28 | 显示全部楼层
我看这内部不是已经很紧凑了吗,空间都是散热器撑大的
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 楼主| 发表于 2020-10-9 01:38 来自手机 | 显示全部楼层
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发表于 2020-10-9 02:16 | 显示全部楼层
其实也就是提升维修成本,中后期还是有办法解决的,psv的主板电压问题导致的gpu故障处理方式还不是换主板解决
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发表于 2020-10-9 03:44 | 显示全部楼层
其实最大的问题还是SSD和液金包
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发表于 2020-10-9 04:57 来自手机 | 显示全部楼层
好家伙,都给他安排上
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发表于 2020-11-8 15:25 来自手机 | 显示全部楼层
HinataY 发表于 2020-10-8 10:45
https://b23.tv/UOpgUg
“独立模块”说得好听,就像你可以随时自己拆下来换个新的一样

标准 nvme m2 哦,动手能力强可以自己换呢

—— 来自 OPPO PCLM10, Android 10上的 S1Next-鹅版 v2.4.3
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发表于 2020-11-8 15:29 | 显示全部楼层
a9okalypse 发表于 2020-10-8 08:53
1. 主机都能生蟑螂的建议反思自己个人卫生习惯

2. https://patentscope.wipo.int/search/en/detail.jsf;js ...

还真没焊在主板上..
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