报告：韩国半导体关键技术两年内全面落后于中国

刘昊霖

韩国专家认为，在短短两年内，韩国在多个关键半导体技术领域已被中国全面反超，这一局面令韩国社会震惊。

根据韩国科学技术规划评价院（KISTEP）星期天（2月23日）发布的三大关键领域技术水平深度分析报告，它对39位国内专家进行的问卷调查结果显示，截至2024年，韩国半导体领域的技术基础能力在所有关键领域均全面落后于中国。

据调查结果，以最高技术领先国定为100%为基准，在高集成、电阻式存储器技术领域，韩国为90.9%，低于中国的94.1%，位居第二；在高性能、低功耗人工智能半导体技术领域，韩国为84.1%，也低于中国的88.3%。

此外，韩国与中国在功率半导体领域分别得分67.5%和79.8%；在下一代高性能传感技术领域分别为81.3%和83.9%，而在半导体先进封装技术领域，两国均为74.2%的评价。

韩国在技术研发、原创及设计领域落后于中国

从商业化角度看，韩国仅在高集成、电阻存储器技术和半导体先进封装技术领域领先于中国。

值得注意的是，参与本次问卷调查的专家曾于2022年接受同项评估，当时他们认为韩国在高集成、电阻式存储器技术、半导体先进封装技术、下一代高性能传感技术等领域均被视为领先，但在短短两年后，局面已发生彻底逆转。

在针对半导体领域整体技术生命周期的问卷调查中，韩国虽然在工艺和量产方面领先于中国，但在技术研发、原创及设计领域则落后于中国。

报告指出，受日本高端与中国技术崛起、美国制裁、东南亚市场快速增长、**政府上台以及韩国国内研发投入不足等多重不确定因素影响， 韩国半导体市场前景依然充满变数 。

据了解，中国长江存储（YMTC）近日成功批量生产294层NAND闪存产品。 相较于三星电子从128层跃升至286层所需约四年七个月的时间，中国仅用了约三年五个月便实现了从128层到294层的技术飞跃，这一成果标志着中国在存储器技术领域取得了显著突破。

韩国《亚洲经济》指出，中国技术快速进步，加之**近期预告将在未来几周内对半导体等产品征收关税，使韩国在技术突破与贸易制裁的双重不利因素下面临严峻挑战。

报告认为，未来影响韩国半导体技术水平的关键因素包括核心人才流失、AI半导体技术发展、美中牵制、本国政策和供应链本地化，其中核心人才问题尤为突出。

报告强调，产业界人才培养奖励及吸引海外专业人才的移民政策迫在眉睫。专家认为，改善工作环境、留住高端人才是实现技术突破和产业升级的关键。　　

orecheng

听说中国要把傲腾复活了

2017.05.04

感觉闪存可能是AI时代的储能技术

问道于盲

继续打，死掉的棒子才是好棒子，半岛去工业化对改善我们的产业环境尤为重要

i0ncube_R

三星和海力士是隐藏在英伟达背后的大赢家，HBM是数据中心tco的最大头，要是能吃下这块大肥肉就好了

论坛助手,iPhone

Alexmacau8

死棒子再也不能**烧三星了哦

cube

i0ncube_R 发表于 2025-2-24 12:38
三星和海力士是隐藏在英伟达背后的大赢家，HBM是数据中心tco的最大头，要是能吃下这块大肥肉就好了

论坛助 ...

国产内存存储颗粒已经把同级别海力士摁地下打了（当然高级别的工艺水平还达不到）。

变局大概不会超过5年了，我们是有明确的追赶计划，棒子那边我是看不出他们有什么更好的办法。

holmesjerry

有个说法是现在华为能搓出多少910b/c完全取决于能走野路子搞来多少hbm

hunger

ddr4只能靠国产了

qilang01

半导体领域南抄县都没有东西能领先我们，南抄县还拿什么和我们打，感觉YKW在的时期，南抄县要负增长了

qwased

那不是三星自己的问题吗，NV和高通每次找三星生产的东西都被坑惨了

nvis

天下苦三星久矣，这句话已经讲了十多年了，全世界对三星的民愤早已超过索尼。

9doge

南棒和我国的产业发展高度重合，就是等着被碾碎的

qratosones1337

holmesjerry 发表于 2025-2-24 14:17
有个说法是现在华为能搓出多少910b/c完全取决于能走野路子搞来多少hbm

去年国产HBM应该是已经生产了

生年不满百

我有多久没听到三星存储工厂着火了？

mandown

三星的半导体制程不是还很先进吗？

不入流美术

打不赢就加入是亘古不变的真理

Alce79

mandown 发表于 2025-2-24 15:30
三星的半导体制程不是还很先进吗？

跟其余的先进半导体产业领域（耗材、晶圆代工）比就不先进了，属于最可能先被冲击的一批。
晶圆台积电一家吃一半以上的先进制程市场，三星要进军就得跟台积电打擂台。

主要还是韩国半导体生态位处于中游，是最先被影响到的环节。其它领域又是别人的地盘，三星去跟其它行业的龙头打擂台？ 国内是被封锁只能买国产，三星吃谁的市场？

中国科学院

以最高技术领先国定为100%为基准，在高集成、电阻式存储器技术领域，韩国为90.9%，低于中国的94.1%，位居第二；在高性能、低功耗人工智能半导体技术领域，韩国为84.1%，也低于中国的88.3%。

这两个的技术领先国各是谁？

十六夜鬼月

qratosones1337 发表于 2025-2-24 15:24
去年国产HBM应该是已经生产了

目前进度应该都是中试阶段，大规模量产应该还没有。看今年或明年吧

zzcwx1020

中国科学院 发表于 2025-2-24 16:26
以最高技术领先国定为100%为基准，在高集成、电阻式存储器技术领域，韩国为90.9%，低于中国的94.1%，位居第 ...

美国，

d2loader

国产7NM和以上开始上量后三棒只能和台积电去拼2nm GAA了...反正之前是闹出过火龙坑高通, 3nm良率为0 之类的笑话

猫咪挠墙

？我还以为芯片封装一直是优势呢……

MKLL

holmesjerry 发表于 2025-2-24 14:17
有个说法是现在华为能搓出多少910b/c完全取决于能走野路子搞来多少hbm

不算说法，这个是业内流出来的消息

holmesjerry

MKLL 发表于 2025-2-24 17:27
不算说法，这个是业内流出来的消息

但是910b本身就是个混沌状态 910c见过的人又少之又少

罐子

我只记得三星厂当年时不时就火灾，应该感谢东大的发展提升了韩国的消防水平

smiths146

我觉得是想太多，变相给发补贴找理由

シマエナガ

三丧的GAA憋出来了没有

龙卷雪浪

本来可以投降输一半，和中国搞搞关系肯定有饭吃，结果全面压宝美帝。

Vacuolar

这不是国家的问题，这更多是三星这家公司的问题吧

哈里-谢顿

今天半导体行业迎来重大消息！
根据印科技的报道：国内领先的NAND FLASH存储公司Y公司，与芯片存储巨头韩国三星达成合作，三星已经确认从V10开始，将使用来自中国同行Y公司的专利技术，主要就是在新型先进封装技术“混合键合”方面。
三星选择与Y公司签署混合键合专利许可协议，来避免潜在的专利风险！
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消息来自印科技

存储领域的国货之光
在整个半导体行业里，存储领域是其最大的细分市场，存储芯片包括了常见的DRAM（内存）和NAND FLASH（闪存），以及其他如Nor FLASH，EEPROM，OTP等规模较小的存储芯片品种。
其中NAND FLASH此类闪存广泛用于消费电子，工业，PC，汽车，以及最近大火的AI行业，作为数据永久存储的最重要载体。
2023年NAND FLASH经历行业低谷期，全球市场约500亿美金规模，但是随着消费复苏，经济转好，半导体行业又一次迎来了上升周期，预期2024年可达600-650亿美金，到2030年乐观估计可达上千亿美金，CAGR约7%-8%。
整个NAND+DRAM近几年平均市场规模在1500-1700亿美金之间，占据整个芯片市场的20%-30%，所以NAND FLASH的量价变化会极大影响整个半导体行业的规模，可以称得上是“行业风向标”。
当NAND 量价齐升的时候往往视为行业景气来临，当下跌的时候则视为行业进入低谷。
因此NAND FLASH 堪称半导体行业的“猪肉指数”，行业好不好，是不是景气，看看NAND FLASH就知道了。
在过去多年，中国在这块最重要的芯片细分领域几乎是零。整个行业被国外巨头所垄断，包括韩国存储芯片双雄三星和SK海力士，美光，铠侠存储（原东芝存储），WDC西部数据（原SD公司），英特尔在2年前选择退出NAND市场，并将所有资本打包出售给SK海力士控股集团，因此又少了一位玩家，行业集中度进一步提高。
因此时至今日整个NAND行业仅剩三星，海力士，美光，铠侠，WD以及中国Y公司，全球范围内上规模的只有区区六家公司。
中国Y公司作为后起之秀，承担起补齐国家最或缺的NAND领域短板，目前Y公司的产品力与国外巨头对比，丝毫不逊色，堪称国货之光！
Xtacking技术为何方神圣？
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2020年4月，Y公司官宣，其128层QLC的3D NAND（型号为X2-6070）研发成功，并且在多家主控厂家SSD等终端存储产品上通过验证。
作为国内首款128层QLC规模的3D NAND，X2-6070产品拥有最高的单位面积存储密度，最高的I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。
当时的Y家的销售高级副总裁Grace表示：“作为闪存行业的新人，Y公司用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千工程师汗水的凝聚，也是全球产业链上下游通力协作的成果。随着Xtacking 2.0时代的到来，Y公司有决心，有实力，有能力开创一个崭新的商业生态，让我们的合作伙伴可以充分发挥他们自身优势，达到互利共赢。”
NAND FLASH自上世纪80年东芝发明后，成为目前最主流的半导体存储方案，无论在消费电子，移动端，PC端，服务器端，工业侧，汽车电子等方面，NAND FLASH凭借优异的读写性能，高可靠性，更小体积，占据了相当一部分数据永久存储的工作，让原来的机械式硬盘进入淘汰边缘。
随着NAND FLASH的需求大爆发，每家公司都使出浑身解数来抢夺这块大蛋糕，目标只有一个如何提供一个更高密度，更便宜成本，更好的产品性能，最终打败竞争对手，夺取市场份额。
作为后期之秀的Y公司拿出的了自己的独门秘籍——Xtacking！
早在2018年，Y公司就发布了第一代Xtacking。
所谓Xtacking，实际上在一片晶圆上独立加工负责数据输入输出及记忆单元操作的外围电路，俗称外围I/O，这样的逻辑电路加工工艺，可以让NAND获取所期望的高I/O接口速度和功能。
另外一片晶圆上做核心的存储单元——Cell，主要是电容器结构以及捕获电子的结构。
当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本，这就是混合键合技术。
如果更通俗易懂的理解，将数百甚至数千根管脚进行准确且无误差的对准键合，类似于医学上的“断指再植”，难度可见一斑！
从技术角度理解，总结其优势为：
1、外围电路置于存储单元之上，不占实际芯片面积，提高存储密度；

2、存储单元，外围电路分别在两片wafer上加工，缩短生产工序和周期；

3、外围电路单独加工，与存储单元可以互相独立设计、生产、消除二者之间的设计、工艺牵制，在实现更高性能的同时，降低设计和工艺方面的难度；

4、外围电路面积与存储单元面积几乎相等，远超现有主流3D NAND架构的外围电路面积，相对于外围电路晶体管密度可以比较低，NAND颗粒可以使用老的成熟工艺节点，工艺难度和成本都不会太高，提高良率。

传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，降低了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度

从商业上看我们也能发现：

1、相比传统COP路线，芯片制造技术难度降低，有利于提高良率；
2、两片wafer分开加工，特别是I/O部分甚至可以交由合作伙伴生产，变相扩大产能；
3、Cell和I/O可以使用不同的工艺节点，在工艺难度，成本，效率，良率上找平衡点，并取得突破；
这点早在AMD Zen1/2构架时代便证明其优越性。
当时的AMD新款Zen1/2构架CPU，核心单元用更好的工艺节点，外围I/O用了一次级工艺。
当时AMD核心CCD单元使用了TSMC的7nm工艺，外围I/O第一版为GF的14nm工艺，第二版为TSMC的12nm，分开制造后最后再次拼接，对外宣传依然为7nm芯片。
由于I/O部分对制程节点要求相对较低，而且并不随着更先进的工艺节点演进而展现更强性能，而核心CCD模块则用更先进的7nm，AMD这套方案是典型的好钢用刀刃上，在效率，良率，成本，性能之间找到了完美平衡点，从那会儿开始AMD原地起飞，并且一脚踩爆英特尔的牙膏，一直到现在完全把英特尔按地上摩擦，苏妈和“Zen构架叔叔硅仙人Jim Keller”功不可没！
所以Xtacking技术路线属于业内正确的技术方向！

混合键合异军突起
键合工艺在半导体行业并不是新鲜事物。
目前大致分三种临时键合，永久键合，混合键合。
临时键合常见在化合物半导体领域，IGBT等
主要是在晶圆背面提供支撑力的临时载片，比如玻璃晶圆等，因为化合物衬底，多脆且易碎，对于加工环节有很大挑战，比如磷化铟，磷化铟这种化合物半导体材料常用于于光电领域的芯片制造，但是其自身非常脆弱，甚至自支撑力连自重都撑不了，拿手上就会断裂，因此需要在磷化铟背面使用临时键合设备键合一层其他载体作为支撑。
同理IGBT，IGBT作为垂直型器件，电流需要从背面经过，因此正面工艺完成后需要对其减薄。
目前大电流的产品，其背面减薄至60微米以内，这样的厚度和磷化铟一样非常脆弱，因此也需要临时键合设备来附上一层玻璃晶圆作为其载体，事后还要再解键合，因此叫临时键合工艺。
永久键合以前在SOI硅上见过，早期SOI硅片制造工艺，是通过两片含有二氧化硅层的硅晶圆键合而来，现在也有但是不多见，现在更多的是使用离子注入法，来制造这种类似三明治夹层的SOI硅片。
但是最近在先进封装行业大行其道。
通过永健键合设备，直接做出了中间电路层——RDL，然后再和其他裸die贴合。
混合键合设备也就是本文Y公司所需的关键核心设备，它提供wafer-to-wafer（俗称W2W），以及Die-to-wafar（俗称D2W）的工艺能力。
目前国内外能提供各种键合设备的公司很多，包括EVG，东京精密，芝浦，ASMI，Besi，K&S等。
国内厂家包括芯源微，苏州芯睿，拓荆，芯慧联新（百傲化学子公司），盛美，青禾晶元等。

如何看待三星与Y公司的合作
首先，此次合作可以视为中国在半导体技术路线的上巨大成功！
过去三星通常在单个wafer上布置控制电路，然后再其上方堆叠存储核心单元，这种方式被称为COP（Cell on Peripheral），但是当NAND堆叠层数超过400层的时候，底部控制电路承受巨大压力，会影响NAND的可靠性。
因此三星决定在V10产品上，使用存储单元与控制电路分别在不同硅片制造，然后再通过混合键合将其合并的技术路线。
三星调研后发现，Y公司在其NAND封装技术路线上建立了相当多的专利，形成牢固的专利墙，就目前而言，三星想要绕过Y公司的专利墙，另起炉灶属于几乎不可能。
因此三星选择了与Y公司签署混合键合专利的使用许可，从Y公司获得了技术授权。
因此可视中国技术路线上的巨大成功！
同时启哥想说一句，这事不是所谓网民口里的“弯道超车”，正儿八经的直线超车！



Y公司在这条技术路线上一直在努力，此番成功绝非一朝一夕之间！从2018年开始到现在已经7年了！一直在往前突破，以证明自己对于行业技术方向上的正确认知！



半导体行业几乎完全是一个to B的生意，同行和客户并不傻，所谓的弯道超车根本就不存在！



所有的变化和起伏，绝非一朝一夕之间完成，都是长久陪跑后的结果。特别是在半导体设备行业，长久以来流传着这么一句名言：一代设备，一代工艺，一代芯片。



设备与新工艺是相辅相成的，在研发下一代新工艺，早就有设备公司的工程师配合FAB R&D部门共同研发，待研发成功，工艺定型之后，参与研发的设备型号也随之确定。
于是FAB的下一代工艺进入市场，并且获得客户订单后就开始扩产，此时此刻就是把当初定型的设备按照需要的数量直接下批量订单，这个时候其他当初未曾参与研发的设备公司哪来的机会？
所以哪来的弯道超车？人家放着工艺定型的设备不用，再陪你玩一遍？
当年尼康的157nm光刻机翻车，给了研发出浸没型DUV的ASML一个天赐良机，实际上ASML当时也在157nm上有布局甚至在EUV上都有投入，只是一个偶然的机会发现了工程方案上更友好的浸没型DUV实际效果更好。
ASML能叫弯道超车吗？人家一直紧紧和TSMC保持良好关系，从未放弃过。
当然也不是完全没有机会，除非行业领先在下一代工艺节点上做的不尽如人意，于是给了其他参与者机会。
当年8英寸年代，美商湿法设备巨头FSI呼风唤雨，但是在12英寸技术路线上出现重大失误，一举被DNS和TEL反超，同样的刚开始DNS把TEL按在地上摩擦，直到TEL痛定思痛，在超临界清洗技术上成功突破从而反超DNS。
所有的案例背后我看到的都是直道超车，不存在所谓的弯道超车！
记住在我们半导体to B行业，弯道只有翻车，从来没有超车！
https://mp.weixin.qq.com/s/wM6FqEjI1ugrsP8BZOePvg

lybrel

龙卷雪浪 发表于 2025-2-25 09:05
本来可以投降输一半，和中国搞搞关系肯定有饭吃，结果全面压宝美帝。

殖民地没有选择的权力