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[移动] 三星 3nm GAA工艺良品率为0%,Exynos 2500面临生产延迟

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发表于 2024-2-2 23:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
https://dealsiteplus.co.kr/articles/116407
内容基本就是如题

中文媒体也有转载
https://www.ithome.com/0/748/614.htm

目前来看,三星企图弯道超车GAA的事情基本确认失败了,而台积电的3nm也谈不上多成功,2022年没人用,2023年苹果终于用了,但是效能被自家4nm的高通联发科SOC比下去了。
卡4nm比当年卡28nm都要严重,不仅仅再度出现了旧路线发展20nm效能不如旧工艺的事情,甚至连英特尔冲击FinFET 22nm工艺成功的事情都没有出现。
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发表于 2024-2-3 00:07 | 显示全部楼层
三丧也太幽默了,生产了一堆报废件,良率为0一点统计意义都没有了吧
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发表于 2024-2-3 00:48 来自手机 | 显示全部楼层
妈的,一块也产不出来,也根本是研发失败了吧

—— 来自 Xiaomi 23049RAD8C, Android 13上的 S1Next-鹅版 v2.5.2-play
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发表于 2024-2-3 00:56 | 显示全部楼层
看看high-NA euv光刻机大量交付后能不能帮助突破瓶颈吧。

不过GAA除了三星公开了在搞以外,另外两家都没在搞吗?应该都是有团队在攻关的吧
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发表于 2024-2-3 01:47 | 显示全部楼层
nocode 发表于 2024-2-3 00:56
看看high-NA euv光刻机大量交付后能不能帮助突破瓶颈吧。

不过GAA除了三星公开了在搞以外,另外两家都没在 ...

Intel 3和TSMC N3都基于finfet,GAA这种东西两家都要到下一代才上了。
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发表于 2024-2-3 02:58 | 显示全部楼层
不是3nm失败,是三星的GAA工艺整个大失败,提前知道自己失败就是提前备战2026,赌一手台积电也出大失败,自己修修补补却能用
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发表于 2024-2-3 04:07 | 显示全部楼层
看来我自己在家手搓的3nm工艺也不错,至少赶上了三星水平
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发表于 2024-2-3 08:30 来自手机 | 显示全部楼层
我记得日本也搞了一个3nm啊。

—— 来自 HONOR PGT-AN00, Android 13上的 S1Next-鹅版 v2.5.4
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发表于 2024-2-3 10:22 来自手机 | 显示全部楼层
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发表于 2024-2-3 12:38 | 显示全部楼层
N3都是FINFET,N2才是GAA。N3B和N3E性能确实有点挫,不过目前来看N3P还可以。
N2明年会投产,N2P多半要后年,目前来看……也有点挫,性能和N3P基本五五开
不过毕竟新结构,能准时上线就是胜利,性能慢慢优化就是了。
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发表于 2024-2-3 14:55 | 显示全部楼层
wewai 发表于 2024-2-3 04:07
看来我自己在家手搓的3nm工艺也不错,至少赶上了三星水平

毕竟良率0,我上我也行
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 楼主| 发表于 2024-2-3 15:17 | 显示全部楼层
acalephs 发表于 2024-2-3 12:38
N3都是FINFET,N2才是GAA。N3B和N3E性能确实有点挫,不过目前来看N3P还可以。
N2明年会投产,N2P多半要后年 ...

我的看法是4/5nm节点会持续很久。
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发表于 2024-2-3 22:43 来自手机 | 显示全部楼层
良率0为啥要投片呢,这种投片之前就该知道做不出来吧
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发表于 2024-2-3 23:25 | 显示全部楼层
一夜秋风袭锦城 发表于 2024-2-3 22:43
良率0为啥要投片呢,这种投片之前就该知道做不出来吧

早期试产肯定良品率都低,积累经验教训,一步一步改进用的,估计他们也想到低,但是没想到低的离谱
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发表于 2024-2-4 10:32 | 显示全部楼层
工艺开发阶段一般是完成基本的器件和工艺研发后,先做SRAM,因为这是逻辑芯片里电路最简单,结构最规整,良率最高,也容易进行测试的(还有一个单个dies的面积也较小),等SRAM的良率达到一定程度(一般是60-65%),这时候认为工艺已经成熟到可以做大型SOC了,开始量产大型SOC,这时运气好,大型SOC的良率能达到50%(后续经过1-2年的不断改进,能达到90%以上),运气不好20-30%也是有的,但是0%真是非常少见。
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发表于 2024-2-4 15:54 | 显示全部楼层
罗莉控 发表于 2024-2-4 10:32
工艺开发阶段一般是完成基本的器件和工艺研发后,先做SRAM,因为这是逻辑芯片里电路最简单,结构最规整,良 ...

其实也不奇怪嘛,gaa毕竟是全新的一套东西
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